长江加油追吧！国际闪存容量、性能双世界第一

2025-03-10
铠侠正式宣告与闪迪联合研发的第 10 代 BiCS 3D NAND 闪存问世。此款闪存于堆叠层数、存储密度以及接口速率性能等方面，均实现了新的突破，达到了全新高度。铠侠第 10 代闪存以 332 层的堆叠层数创造了行业纪录，其容量与性能在全球范围内亦处于领先地位。
铠侠新型闪存采用 CBA 双晶圆键合技术，分别制造 CMOS 控制电路与 NAND 存储阵列，随后进行键合操作。这一技术思路与长江存储的 Xtacking 晶栈架构存在相似之处 。该闪存的 3D 堆叠层数达到了前所未有的 332 层，相较于第 8 代的 218 层增加了 38％，且超越了 SK 海力士的 321 层、三星的 290 层、美光的 276 层以及西数的 218 层。铠侠计划在 2027 年实现 1000 层堆叠的 3D 闪存研发目标。
凭借更多层数的堆叠，该闪存的存储密度宣称提升了 59％，约为每平方毫米 36.4Gb，大幅领先于其他同行。西数仅达到每平方毫米 22.9Gb，SK 海力士则不过每平方毫米 20Gb。然而，铠侠目前尚未公布具体的闪存类型（TLC/QLC）以及单 Die 容量。
铠侠第10代闪存332层创纪录！容量、性能也都是世界第一
凭借更多层数的堆叠，该闪存的存储密度宣称提升了 59％，约为每平方毫米 36.4Gb，大幅领先于其他同行。西数仅达到每平方毫米 22.9Gb，SK 海力士则不过每平方毫米 20Gb。然而，铠侠目前尚未公布具体的闪存类型（TLC/QLC）以及单 Die 容量。
铠侠第10代闪存332层创纪录！容量、性能也都是世界第一
新型闪存同时支持 Toggle DDR 6.0 接口规范，传输速度高达 4800MT/s，较前代提升了 33％，创造了新的速度纪录，超过了美光、西数的 3600MT/s。此外，铠侠此次还引入了 PI-LTT 低功耗技术，可使输入功耗降低 10％，输出功耗降低 34％，能够更好地契合 AI 技术的应用需求。
铠侠第10代闪存332层创纪录！容量、性能也都是世界第一
在近期的投资者日活动中，闪迪披露了开发容量高达 PB 级固态硬盘的计划，但遗憾的是，在其路线图中并未明确具体的时间节点。
这一目标将通过其 UltraQLC 技术达成。UltraQLC 并非一种新型内存，而是闪迪自主研发的 BICS 8 QLC 3D NAND、高端专用控制器（支持 64 个 NAND 通道）以及固件的组合体。该平台的核心在于其定制的控制器，融合了专用硬件加速器，能够将关键存储任务从固件中分离出来，进而降低延迟、提高带宽，并增强在超大规模存储环境中的可靠性。此外，该控制器还可根据工作负载自动调整功耗，以确保最佳的能效表现。
UltraQLC 固态硬盘将采用 2Tb NAND 内存 IC 来实现 128TB 的存储容量。尽管 64 通道的控制器从理论上能够支持更高的容量，但这样做可能会对性能产生一定影响。展望未来，闪迪预计将开发更高容量的 NAND 设备，这将促使 SSD 的容量逐步扩展至 256TB、512TB，并在未来数年内实现 1PB 的目标。


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